Produktdatablad |
|
Enhedstype |
Solid state-drev - intern |
Kapacitet |
256 GB |
Model |
M.2 2280 |
Grænseflade |
PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
Byte pr. sektor |
512 |
Egenskaber |
Multi-niveau celle (MLC), V-NAND Technology, S.M.A.R.T. |
Bredde |
22 mm |
Dybde |
80 mm |
Højde |
2.38 mm |
Vægt |
8 g |
Intern datahastighed |
3.1 GBps (læs) / 1.4 GBps (skriv) |
4KB Random Read |
330000 IOPS |
4KB Random Write |
280000 IOPS |
MTBF (forventet tid mellem fejl) |
1,500,000 timer |
Fejlsøgning |
1 pr. 10^15 |
Interface |
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Kompatibel bås |
M.2 2280 |
Strømforbrug |
4.5 Watt (skriv) ¦ 5.9 Watt (læs) ¦ 100 mW (ledig) ¦ 5 mW (typisk) |
Overensstemmelsesstandarder |
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, RCM |
Min. driftstemperatur |
0 °C |
Maks. driftstemperatur |
70 °C |
Min. lagertemperatur |
-40 °C |
Maks. Opbevaringstemperatur |
85 °C |
Fugtighedsgrad ved brug |
5 - 95 % (ikke-kondenserende) |
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) |
1500 g @ 0,5 ms halvsinuskurve |
Vibration tolerance (operativ) |
20 g |
Vibration tolerance (non-operativ) |
10-2000 Hz |