Samsung 990 PRO Heatsink - 2TB SSD NVMe - PCIe 4.0

Producent: SAMSUNG
Produkt nr: MZ-V9P2T0GW
EAN: 8806094594652
Varenummer: F23477492
billigst-pricerunner

Opgrader dit system med hastighed og ydeevne ved hjælp af 990 Pro M.2 NVMe 2TB+heatsink

Med 990 Pro M.2 NVMe 2TB+heatsink får du en ultra-hurtig solid state drive, der kan tage dit system til nye højder af hastighed og ydeevne. Med en kapacitet på imponerende 2TB vil du have masser af plads til at opbevare dine vigtigste filer og programmer.

Ikke kun er denne SSD utroligt hurtig, den bruger også mindre strøm end traditionelle drives. Det betyder, at ikke alene vil du have en hurtigere computer, men du vil også spare penge på din strømregning.

Denne SSD er også nem at installere takket være dens M.2-formfaktor, der sikrer, at den passer til næsten enhver moderne computer. Det medfølgende varmelegeme sikrer, at din SSD forbliver kølig og fungerer optimalt under tung belastning.

Du vil aldrig igen skulle vente på, at dine programmer skal starte eller at filer skal overføres takket være 990 Pro M.2 NVMe 2TB+heatsinks utrolige hastigheder på op til 3.400 MB/s læsning og 3.000 MB/s skrivning.

Opgrader dit system i dag og oplev en hidtil uset hastighed og ydeevne med 990 Pro M.2 NVMe 2TB+heatsink. Din computer vil takke dig for det.

Producent: SAMSUNG
Produkt nr: MZ-V9P2T0GW
EAN: 8806094594652
Varenummer: F23477492

På lager - forsendelse samme hverdag, ved bestilling inden kl. 16.00


Billigste fragt 0,00 kr.

1.592,- DKK
(1.273,60 ekskl. moms)

Gratis fragt

(Gælder op til 20 kg)

Læs mere her
1.592,- DKK
(1.273,60 ekskl. moms)
Producent: SAMSUNG
Produkt nr: MZ-V9P2T0GW
EAN: 8806094594652
Varenummer: F23477492

På lager - forsendelse samme hverdag, ved bestilling inden kl. 16.00


Billigste fragt 0,00 kr.

Gratis fragt

(Gælder op til 20 kg)

Læs mere her
Produktbeskrivelse Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type Solid state-drev - intern
Kapacitet 2 TB
Integreret kølelegeme Ja
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type Fler-niveaus celle (MLC)
Model M.2 2280
Grænseflade PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber Stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Dimensioner (B x D x H) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Vægt 28 g
Producentgaranti 5 års garanti

Produktdatablad

Enhedstype Solid state-drev - intern
Kapacitet 2 TB
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type Fler-niveaus celle (MLC)
Integreret kølelegeme Ja
Model M.2 2280
Grænseflade PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber Stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Bredde 24.3 mm
Dybde 80 mm
Højde 8.2 mm
Vægt 28 g
Intern datahastighed 7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write 1550000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning 1400000 IOPS
MTBF (forventet tid mellem fejl) 1,500,000 timer
Interface PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås M.2 2280
Strømforbrug 5.8 Watt (læs) ¦ 5.1 Watt (skriv) ¦ 55 mW (ledig) ¦ 5 mW (L1.2 tilstand)
Med software Samsung Magician Software
Overensstemmelsesstandarder IEEE 1667
Pakkedetaljer Boks
Service & Support Begrænset garanti - 5 år/1200 TBW
Min. driftstemperatur 0 °C
Maks. driftstemperatur 70 °C
Min. lagertemperatur -40 °C
Maks. Opbevaringstemperatur 85 °C
Fugtighedsgrad ved brug 5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) 1500 g
Vibration tolerance (non-operativ) 20 g @ 20-2000 Hz