Produktdatablad |
|
| Enhedstype |
Solid state-drev - intern |
| Kapacitet |
256 GB |
| Model |
M.2 2280 |
| Grænseflade |
PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
| Byte pr. sektor |
512 |
| Egenskaber |
Multi-niveau celle (MLC), V-NAND Technology, S.M.A.R.T. |
| Bredde |
22 mm |
| Dybde |
80 mm |
| Højde |
2.38 mm |
| Vægt |
8 g |
| Intern datahastighed |
3.1 GBps (læs) / 1.4 GBps (skriv) |
| 4KB Random Read |
330000 IOPS |
| 4KB Random Write |
280000 IOPS |
| MTBF (forventet tid mellem fejl) |
1,500,000 timer |
| Fejlsøgning |
1 pr. 10^15 |
| Interface |
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibel bås |
M.2 2280 |
| Strømforbrug |
4.5 Watt (skriv) ¦ 5.9 Watt (læs) ¦ 100 mW (ledig) ¦ 5 mW (typisk) |
| Overensstemmelsesstandarder |
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, RCM |
| Min. driftstemperatur |
0 °C |
| Maks. driftstemperatur |
70 °C |
| Min. lagertemperatur |
-40 °C |
| Maks. Opbevaringstemperatur |
85 °C |
| Fugtighedsgrad ved brug |
5 - 95 % (ikke-kondenserende) |
| Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) |
1500 g @ 0,5 ms halvsinuskurve |
| Vibration tolerance (operativ) |
20 g |
| Vibration tolerance (non-operativ) |
10-2000 Hz |
