Produktbeskrivelse
|
Samsung 860 EVO MZ-M6E250BW - SSD - 250 GB - SATA 6Gb/s
|
Type
|
Solid state-drev - intern
|
Kapacitet
|
250 GB
|
Hardware kryptering
|
Ja
|
Krypterings algoritme
|
256-bit AES
|
NAND Flashhukommelses-type
|
3D multi-niveaucelle (MLC)
|
Model
|
mSATA
|
Grænseflade
|
SATA 6Gb/s
|
Dataoverførselshastighed
|
600 MBps
|
Buffer størrelse
|
512 MB
|
Egenskaber
|
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667
|
Dimensioner (B x D x H)
|
29.85 mm x 50.8 mm x 3.85 mm
|
Vægt
|
8.5 g
|
Producentgaranti
|
5 års garanti
|
Produktdatablad |
|
Enhedstype |
Solid state-drev - intern |
Kapacitet |
250 GB |
Hardware kryptering |
Ja |
Krypterings algoritme |
256-bit AES |
NAND Flashhukommelses-type |
3D multi-niveaucelle (MLC) |
Model |
mSATA |
Grænseflade |
SATA 6Gb/s |
Buffer størrelse |
512 MB |
Egenskaber |
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-bit AES, IEEE 1667 |
Bredde |
29.85 mm |
Dybde |
50.8 mm |
Højde |
3.85 mm |
Vægt |
8.5 g |
SSD-udholdenhed |
150 TB |
Overføringshastighed, drev |
600 MBps (ekstern) |
Intern datahastighed |
550 MBps (læs) / 520 MBps (skriv) |
Maximum 4KB Random Write |
88000 IOPS |
Maksimal 4 KB tilfældig læsning |
97000 IOPS |
MTBF (forventet tid mellem fejl) |
1,500,000 timer |
Interface |
1 x SATA 6 Gb/s |
Kompatibel bås |
mSATA |
Strømforbrug |
2.2 Watt (gennemsnitlig) ¦ 4.5 Watt (maksimum) |
Service & Support |
Begrænset garanti - 5 år |
Min. driftstemperatur |
0 °C |
Maks. driftstemperatur |
70 °C |
Modstandsdygtighed over for stød (operativ) |
1500 g @ 0,5 ms halv-sinus |
Denne hurtige og pålidelige SSD er specielt designet til stationære og bærbare computere og er forsynet med en ny V-NAND og en robust algoritmebaseret styreenhed.