Produktdatablad |
|
Enhedstype |
Solid state-drev - intern |
Kapacitet |
512 GB |
NAND Flashhukommelses-type |
3D triple-level cell (TLC) |
Model |
M.2 2280 |
Grænseflade |
PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
Egenskaber |
TRIM support, NVM Express (NVMe) 1.3, RGB-belysning, HMB (Host Memory Buffer) understøttet, Toshiba BiCS3 blitz, S.M.A.R.T., 256-bit AES |
Intern datahastighed |
3480 MBps (læs) / 2000 MBps (skriv) |
4KB Random Read |
360000 IOPS |
4KB Random Write |
440000 IOPS |
MTBF (forventet tid mellem fejl) |
1,800,000 timer |
Interface |
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Kompatibel bås |
M.2 2280 |
Strømforbrug |
5485 mW (læs) ¦ 4085 mW (skriv) ¦ 272 mW (ledig) |
Service & Support |
Begrænset garanti - 5 år |
Min. driftstemperatur |
0 °C |
Maks. driftstemperatur |
70 °C |
Min. lagertemperatur |
-40 °C |
Maks. Opbevaringstemperatur |
85 °C |